Single crystal ReSxSe2(1-x) alloy rystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods.

1．将单层硫化钼转移至衬底（衬底可根据客户需求选定）$n2．边长15um （三角形）片内层数均匀$n3．衬底上转移3个（数量可定制）带电极的单层硫化钼样品$n4．电极间距：~5um

CVD石墨烯CVD六方氮化硼异质结 石墨烯/h-BN薄膜的性质： 单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）SiO2/Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 4片装 每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的覆盖率约为98％ 薄膜是连续的，有小孔和有机残留物 高结晶质量 石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％） 薄层电阻：430-800Ω/平方

World's largest size h-BN crystals are available! Our h-BN crystals now measure 5-6 mm in size much comparable to other traditional layered crystals. After 3 years of research and engineering

六方氮化硼晶体20片装 hBN(Hexagonal Boron Nitride)-Crystal 晶体尺寸：~1mm 电学性能：绝缘体/半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：

高纯度黑磷晶体 Black Phosphorus-Crystal 晶体结构：正斜方晶结构晶体尺寸：~10mm 电学性能：半导体 晶体结构：斜方晶系 晶胞参数：a = 0.331 nm, b= 1.048, c = 0.437 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型：合成 晶体纯度：99.995% 性质：半导体